研究成果発表報告書

Ⅲ‐Ⅴ族ｐチャネルＭＯＳＦＥＴのための価電子帯エンジニアリングと界面双極子制御

研究課題

研究課題/領域番号	24246058
研究種目	基盤研究(A)
配分区分	補助金
応募区分	一般
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	独立行政法人産業技術総合研究所
研究代表者	安田哲二独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究部門長 (90220152)
研究分担者	前田辰郎独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (40357984) 宮田典幸独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 研究グループ長 (40358130) 大竹晃浩独立行政法人物質・材料研究機構, 先端フォトニクス材料研究ユニット, 主幹研究員 (30267398) 奈良純独立行政法人物質・材料研究機構, 理論計算科学ユニット, 主任研究員 (30354145) 藤代博記東京理科大学, 基礎工学部, 教授 (60339132)
連携研究者	市川昌和国立大学法人東京大学, 工学系研究科, 上席研究員 (20343147) 田中正俊国立大学法人横浜国立大学, 工学研究院, 教授 (90130400)
研究期間 (年度)	2012-04-01 – 2015-03-31