• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2014 年度 実績報告書

立体構造半導体/酸化膜界面のハイスループットモデリング技術の開発

研究課題

研究課題/領域番号 24310082
研究機関早稲田大学

研究代表者

渡邉 孝信  早稲田大学, 理工学術院, 教授 (00367153)

研究期間 (年度) 2012-04-01 – 2015-03-31
キーワード表面・界面ナノ科学 / シリコン / 絶縁膜 / 分子動力学法
研究実績の概要

本研究では、立体構造デバイスの研究開発を支える分子シミュレーション技術として、複雑な界面構造モデルをハイスループットで自動生成する技術、ならびに構造を直感的に把握できる3次元没入型可視化システムの開発を目的とし、以下の成果を得た。
前年度までに開発したナノスケールの3次元半導体構造とそれを覆う酸化絶縁膜の原子論的界面構造モデルの自動生成技術の応用研究として、酸化膜被覆型シリコンナノワイヤのフォノン状態密度と熱伝導率の関係に関する詳細な検討を行った。酸化膜被覆型シリコンナノワイヤの熱伝導率低下量が、酸化膜誘起歪によって生じる無秩序な低エネルギーフォノン成分との間に強い相関関係があることを確認し、ナノ構造体の特異な熱的挙動の原因を詳細に明らかにした。開発したアルゴリズムを、表面が波打った形状を有するコルゲートシリコンナノワイヤ構造や、ゲルマニウムナノワイヤ構造にも適用し、均一な厚さの酸化膜構造を自動生成できることを確認した。
また、複雑な界面形状を直観的に把握する新しい3次元没入型可視化システムの開発にも成功した。ヘッドマウントディスプレイにマーカーレス拡張現実アルゴリズムを組み込み、眼前の現実世界に原子構造の立体模型浮かんで見えるシステムの動作実証まで達成した。合成するCGの再生速度は、表示する原子数、処理計算機の性能に左右されるが、複雑な界面形状を直観的に把握できる従来にない新しい分子可視化技術として将来性が期待できる。

現在までの達成度 (段落)

26年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

26年度が最終年度であるため、記入しない。

次年度使用額が生じた理由

26年度が最終年度であるため、記入しない。

次年度使用額の使用計画

26年度が最終年度であるため、記入しない。

  • 研究成果

    (19件)

すべて 2015 2014

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件、 謝辞記載あり 3件) 学会発表 (16件) (うち招待講演 2件)

  • [雑誌論文] Particle-based Semiconductor Device Simulation Accelerated by GPU computing2015

    • 著者名/発表者名
      Akito Suzuki, Takefumi Kamioka, Yoshinari Kamakura, and Takanobu Watanabe
    • 雑誌名

      Japan Society for Simulation Technology

      巻: 未定 ページ: 未定

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Effect of a SiO2 layer on the thermal transport properties of <100> Si nanowires: A molecular dynamics study2015

    • 著者名/発表者名
      Tomofumi Zushi, Kenji Ohmori, Keisaku Yamada, and Takanobu Watanabe
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 91 ページ: 115308-1,-7

    • DOI

      10.1103/PhysRevB.91.115308

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Molecular Dynamics Study on the Formation of Dipole Layer at High-k/SiO2 Interfaces2014

    • 著者名/発表者名
      Ryo Kuriyama, Masahiro Hashiguchi, Ryusuke Takahashi, Atsushi Ogura, Shinichi Satoh, and Takanobu Watanabe
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53 ページ: 08LB02-1, -4

    • DOI

      10.7567/JJAP.53.08LB02

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [学会発表] 複数のカメラでリアルタイム動作する3DマーカーレスARシステム2015

    • 著者名/発表者名
      秋山 隼哉, 臼田 稔宏, 堀 俊彦, 渡邉 孝信
    • 学会等名
      The 21th Symposium on Sensing via Image Information (SSII 2015)
    • 発表場所
      パシフィコ横浜
    • 年月日
      2015-06-10 – 2015-06-12
  • [学会発表] 分子動力学法によるhigh-k/SiO2界面のダイポール形成シミュレーション(2) -酸素密度緩和モデルで説明できないMgO/SiO2界面ダイポールの再現-2015

    • 著者名/発表者名
      功刀 遼太, 橋口 誠広, 志村 昴亮, 小椋 厚志, 佐藤 真一, 渡邉 孝信
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-31
  • [学会発表] 酸化被膜型Siナノワイヤにおける熱伝導率低下の起源に関する原子論的考察2015

    • 著者名/発表者名
      図師 知文, 大毛利 健治, 山田 啓作, 渡邉 孝信
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東海大学湘南キャンパス
    • 年月日
      2015-03-12
    • 招待講演
  • [学会発表] 酸化膜被覆型SiナノワイヤにおけるNi合金化プロセスの分子動力学的解析2015

    • 著者名/発表者名
      橋本 修一郎, 木谷 哲, 図師 知文, 渡邉 孝信
    • 学会等名
      第20回ゲートスタック研究会
    • 発表場所
      東レリサーチセンター
    • 年月日
      2015-01-30
  • [学会発表] High-k/SiO2界面のダイポール層がチャネル垂直方向電界に与える影響2015

    • 著者名/発表者名
      志村 昂亮, 橋口 誠広, 功刀 遼太, 小椋 厚志, 佐藤 真一, 渡邉 孝信
    • 学会等名
      第20回ゲートスタック研究会
    • 発表場所
      東レリサーチセンター
    • 年月日
      2015-01-30
  • [学会発表] Source-induced RDF Overwhelms RTN in Nanowire Transistor: Statistical Analysis with Full Device EMC/MD Simulation2014

    • 著者名/発表者名
      Akito Suzuki, Takefumi Kamioka, Yoshinari Kamakura, Kenji Ohmori, Keisaku Yamada, and Takanobu Watanabe
    • 学会等名
      IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2014)
    • 発表場所
      Hilton San Francisco Union Square, San Francisco, USA
    • 年月日
      2014-12-14
  • [学会発表] Impact of post-oxidation annealing of Si nanowire on its Ni silicidation rate2014

    • 著者名/発表者名
      Shuichiro Hashimoto, Hiroki Kosugiyama, Kohei Takei, Jing Sun, R. Imai, H. Tokutake, Motohiro Tomita, Atsushi Ogura, Takashi Matsukawa Meishoku Masahara and Takanobu Watanabe
    • 学会等名
      27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2014)
    • 発表場所
      Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka
    • 年月日
      2014-11-06
  • [学会発表] Molecular Dynamics Simulation of Dipole Layer Formation at High-k/SiO2 Interface2014

    • 著者名/発表者名
      Takanobu Watanabe, Ryo Kuriyama, Masahiro Hashiguchi, Ryusuke Takahashi, Kosuke Shimura, Atsushi Ogura, and Sinich Satoh
    • 学会等名
      226th Meeting of The Electrochemical Society
    • 発表場所
      Moon Palace Resort, Cancun, Mexico
    • 年月日
      2014-10-06
    • 招待講演
  • [学会発表] High-k/ High-k界面におけるダイポール形成の可能性の検討2014

    • 著者名/発表者名
      橋口 誠広,志村昂亮,功刀遼太,知京豊裕,小椋厚志,佐藤真一,渡邉孝信
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-20
  • [学会発表] 分子シミュレーションによるSi表面の空孔クラスタとNi原子の相互作用の解析2014

    • 著者名/発表者名
      木谷哲,橋本修一郎,武良光太郎,今津研太,小花絃暉,神岡武文,渡邉孝信
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-20
  • [学会発表] 酸化被膜型Siナノワイヤにおける熱伝導率低下の起源に関する考察2014

    • 著者名/発表者名
      図師知文,大毛利健治,山田啓作,渡邉孝信
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-19
  • [学会発表] 酸化膜トラップ電荷によるSiナノワイヤトランジスタの電流ばらつきの統計的解析2014

    • 著者名/発表者名
      鈴木晃人,神岡武文,鎌倉良成,渡邉孝信
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-19
  • [学会発表] 分子動力学法によるhigh-k/SiO2界面のダイポール形成シミュレーション -正負両方向のダイポール層の再現-2014

    • 著者名/発表者名
      志村昂亮,橋口 誠広,功刀遼太,小椋厚志,佐藤真一,渡邉孝信
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-19
  • [学会発表] Niシリサイド化速度のSi結晶構造依存性 -分子動力学法による解析-2014

    • 著者名/発表者名
      橋本修一郎,小杉山洋希,セイ ソン,武井康平,木谷哲,図師知文,渡邉孝信
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-17
  • [学会発表] Full-Scale Whole Device EMC/MD Simulation of Si Nanowire Transistor Including Source and Drain Regions by Utilizing Graphic Processing Units2014

    • 著者名/発表者名
      Akito Suzuki, Takefumi Kamioka, Yoshinari Kamakura, and Takanobu Watanabe
    • 学会等名
      2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD 2014)
    • 発表場所
      Mielparque Yokohama, Yokohama
    • 年月日
      2014-09-11
  • [学会発表] Thermal Transport Properties of Si Nanowire Covered with SiO2 Layer: A Molecular Dynamics Study2014

    • 著者名/発表者名
      Tomofumi Zushi, Kenji Ohmori, Keisaku Yamada, and Takanobu Watanabe
    • 学会等名
      2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014)
    • 発表場所
      Epocal Tsukuba, Tsukuba
    • 年月日
      2014-09-10

URL: 

公開日: 2016-06-01  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi