立体構造半導体／酸化膜界面のハイスループットモデリング技術の開発

2014 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 24310082
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 一部基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: ナノ構造科学
• 研究機関: 早稲田大学
• 研究代表者: 渡邉 孝信 早稲田大学, 理工学術院, 教授 (00367153)
• 研究期間 (年度): 2012-04-01 – 2015-03-31
• キーワード: 表面・界面ナノ科学 / シリコン / 絶縁膜 / 分子動力学法

研究成果の概要

急速に進む立体構造デバイスの研究開発を基礎から支えるため、ナノスケールの半導体結晶、およびそれを覆う酸化絶縁膜の原子論的界面構造モデルを、ハイスループットで自動生成する技術を開発し、現実的な立体構造モデルを用いた様々な輸送シミュレーションを可能にした。開発した手法を熱伝導シミュレーションに応用し、ナノスケールのシリコン結晶が示す特異な熱的特性の起源の解明に成功した。

自由記述の分野

電子材料工学