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Ｈ２８年度は２７年度までに得られた知見をもとに、まず１）Ru錯体分子多層膜の縦方向電子移動能発現の取りまとめ、２）Ru錯体分子多層膜のイオン液体ゲートトランジスタによる横方向電子移動の研究を行った。１）については鉄イオン、イリジウムイオンを錯形成に用いた場合に高い移動能が得られた。それは錯体分子層同士の界面にこれらのイオンが新しいエネルギー準位を形成する量子効果によるものであることが電気化学測定などで判明した。また低温の導電性計測からもこれらの新しい準位形成が支持された。２）に関してはRu錯体分子膜があまり緻密でなくナノスケールの空孔の量が大きいために横方向に導電性が発現しなかった。２）の研究のコンセプトを将来的に実現するために、新規に３）電荷移動錯体膜の作製を検討した。ポリマーの含有などでナノ粒子化、ナノワイヤー化が可能な電荷移動錯体TTF-TCNQを用いることを検討した。ナノ構造形成には至らなかったが、ウエットプロセスで薄膜形成化していくところで結晶化を促すためにジエチルアミン溶媒を用いて遠心分離法での精製で従来までウエットプロセスで報告されていた5～30S/cmの導電率を大きく上回る60S/cm程度の高い導電率を得た。今後はこの妨害に得られた高い導電率の解明を継続しつつ、電荷移動錯体のナノ構造体形成に取り組む。本年度はなお論文としてRu錯体分子多層膜の縦方向電子移動能発現に関する発表を行った。
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