| 研究課題/領域番号 |
24310083
|
|---|
| 研究種目 |
基盤研究(B)
|
| 配分区分 | 一部基金 |
|---|
| 応募区分 | 一般 |
|---|
| 研究分野 |
ナノ構造科学
|
|---|
| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
|---|
研究代表者 |
石田 敬雄 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノ材料研究部門, 研究グループ長 (40281646)
|
|---|
| 連携研究者 |
芳賀 正明 中央大学, 理工学部, 教授 (70115723)
内藤 泰久 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門, 主任研究員 (10373408)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2016-03-31
|
| キーワード | 分子エレクトロニクス / 錯体 / 超分子 / 導電性 |
|---|
| 研究成果の概要 |
本研究では金属錯体分子や電荷移動錯体で超格子多層膜構造など量子性機能発現可能な構造構築を行い、新規な光吸収や長距離電子移動やより高い電気伝導等の量子機能の発現と検証を目指した。当初はすでに長距離電子移動能が確認されているルテニウム2核錯体を中心に研究を行い、特に新たに鉄イオンを錯形成用イオンとして用いて作製した多層膜において長距離電子移動能が生じることを見出した。また電荷移動錯体TTF-TCNQ薄膜では、溶媒種としてN,N-Dimethylformamideを用いた場合、ウエット法で形成できる多結晶膜としては非常に大きい60 S/cm近い導電率を得ることに成功した。
|
| 自由記述の分野 |
分子エレクトロニクス 表面科学
|
