窒化物半導体GaNナノウォール結晶を中心に、形状制御限界に迫る微細ナノ結晶(<50nm)の実現と光デバイス応用技術の開発を目標とした。GaNの低損傷エッチング技術である水素雰囲気異方性熱エッチング法を開発し、幅28nmのInGaN/GaNナノウォールやナノピラーの作製、青色ナノLEDの室温電流注入発光、および直径10nmのGaNナノピラーの作製を実証し、研究目標を達成した。 また、世界最高水準の広帯域(波長315~780nmの平均透過率88.2%)と高導電性(7.6Ω/sq.)を有するMgZnO/Ag(Al)/MgZnO透明度電膜と新しい機能性薄膜の堆積技術(ナノミスト堆積法)を開発した。
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