本研究では、独自開発した非接触原子間力顕微鏡/走査型トンネル顕微鏡を活用して2つの物体を接近させ、さらには接触するまで精密に近づけ、2物体間に働く力、および、流れる電流の印加電圧応答と距離依存性を計測した。この結果から、2物体の結合の形成過程におけるトンネル障壁の崩壊の影響を考察した。Si-Siの共有結合では探針試料間に電圧を印加し、表面準位を合わせ、量子力学共鳴状態を作り、共有結合力とトンネル電流の関係を解析した。水素吸着SiアドアトムとSi探針原子間で、水素結合を計測し、その1結合の結合エネルギーを見積もった。
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