| 研究課題/領域番号 |
24350031
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| 研究機関 | 近畿大学 |
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研究代表者 |
松尾 司 近畿大学, 理工学部, 准教授 (90312800)
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| 研究分担者 |
橋爪 大輔 独立行政法人理化学研究所, その他部局等, その他 (00293126)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| キーワード | 典型元素 / 不飽和結合 / ホウ素 / 水素化ホウ素化合物 / ジボラン / 水素化アルミニウム化合物 / ジホスフェン / リン |
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| 研究実績の概要 |
平成２６年度では、これまでに引き続き、嵩高いRind基が置換した水素化ホウ素化合物に焦点を当てて研究を進めるとともに、新たにRind基が置換した水素化アルミニウム化合物の開発を行った。ジヒドロジボラン(4)では、嵩高いEind基が置換すると「二重水素架橋体」のみが選択的に生成するのに対し、より嵩高いMPind基が置換すると「末端水素体」のみが選択的に生成することを突き止めた。それぞれの分子構造をX線結晶構造解析によって決定し、NMR研究や理論計算により結合状態について明らかにした。また、これらのジボラン(4)化合物と一酸化炭素などの小分子との反応性について調査した。
また、平成２６年度は、ジヒドロジボラン(4)とピリジン類との反応について精査し、１つの架橋水素と１つの末端水素を有する「ジボラン(4)・ピリジン付加体」が生成することを見いだした。種々のピリジンやビピリジンが配位することで、新規な共役電子系が構築できることを実験化学と理論計算のインタープレイによって明らかにした。水素架橋ジボロンユニットが、π共役電子系の構成単位として機能することを突き止めた。
さらに、平成２６年度では、Rind基を有するジホスフェン化合物の反応性について調査した。ジホスフェンと酸素分子との反応により、三価ー五価の混合原子価リン不飽和化合物である「ジホスフェンオキシド」が生成することを見いだし、分子構造をX線結晶構造解析によって決定した。ジホスフェンの還元反応についても調査した。
嵩高いRind基による速度論的安定化とキレート配位による熱力学的安定化を組み合わせた新奇な配位子デザインとして「カルボキシラート」配位子を開発した。配位不飽和な典型元素化合物の安定化だけではなく、遷移金属錯体の補助配位子としても期待できる結果を得た。
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| 現在までの達成度 (段落) |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 次年度使用額が生じた理由 |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 次年度使用額の使用計画 |
26年度が最終年度であるため、記入しない。
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