| 研究課題/領域番号 |
24350050
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| 研究機関 | 慶應義塾大学 |
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研究代表者 |
垣内 史敏 慶應義塾大学, 理工学部, 教授 (70252591)
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| 研究分担者 |
河内 卓彌 慶應義塾大学, 理工学部, 講師 (70396779)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | キノリノラート / ロジウム / 末端アルキン / アミノカルベン / ホスフィン / ヒドロアミノ化 / ビニリデン錯体 |
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| 研究実績の概要 |
本研究では、キノリノールから容易に調製できるキノリノラトを配位子にもつ一価のロジウム錯体を触媒に用いた新規触媒反応の開発を目指した研究を行っている。一価のロジウムは電子豊富であり、その配位子として強固に配位可能で高い電子供与能をもつキノリノラトを用いることにより、さらに金属上の電子密度向上し、これまでに無い新しい触媒活性が発現する、という作業仮説のもと研究を行っている。これまでの研究期間での検討において、（8－キノリノラト）ロジウム錯体を触媒に用いた反応では、ホスフィンの添加が反応性に大きく変化することを見出していた。そこで、キノリノラート配位子にホスフィン部位を導入したPNO型三座配位子を合成し、それらを用いて触媒活性と反応中間体の構造解析を行った。
ホスフィン置換キノリノラートロジウム錯体と末端アルキンとの反応により架橋ビニリデン錯体が生成することを前年度の研究で見出しており、それら中間体がもつ第二級アミンとの反応について検討を行った。架橋ビニリデン錯体と第二級アミンとの反応により、ロジウムアミノカルベン錯体が収率良く生成することを見出した。また、合成した錯体の単結晶Ｘ線構造解析により、アミノカルベン配位子はPNO配位子が成す平面に対して直交した構造をもつことを確認した。このロジウムアミノカルベン錯体から生成物であるエナミンを与える場合には、ホスフィンなどの添加剤の使用が反応性向上に関与していることを明らかにすることができた。
これらの結果は、ほとんど例が無いロジウムアミノカルベン錯体の構造と反応性について重要な知見を与えるものである。
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| 現在までの達成度 (段落) |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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| 今後の研究の推進方策 |
27年度が最終年度であるため、記入しない。
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