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2015 年度 研究成果報告書

イオン注入による欠陥制御を利用した圧縮歪みシリコンの実現と高正孔移動度素子応用

研究課題

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研究課題/領域番号 24360001
研究種目

基盤研究(B)

配分区分一部基金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関名古屋大学 (2013-2015)
東北大学 (2012)

研究代表者

宇佐美 徳隆  名古屋大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (20262107)

研究分担者 有元 圭介  山梨大学, 総合研究部, 准教授 (30345699)
澤野 憲太郎  東京都市大学, 工学部, 教授 (90409376)
研究期間 (年度) 2012-04-01 – 2016-03-31
キーワード歪みシリコン / ヘテロ構造 / 分子線エピタキシー
研究成果の概要

イオン注入により意図的に残留欠陥を発生させたシリコン(100)基板上にガスソース分子線エピタキシー法用いてシリコン/シリコンカーボンヘテロ構造を結晶成長することで、二軸性圧縮歪みを有するシリコン薄膜を形成できることを示した。この薄膜は800度までの熱処理に対して安定であるが、900度以上の熱処理ではカーボン原子の析出が生じる。また、アルゴンイオン注入を利用して高品質な圧縮歪みシリコン/シリコンカーボンヘテロ構造を実現するための注入エネルギーは45keV未満が望ましいことを見出した。

自由記述の分野

結晶工学

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公開日: 2017-05-10  

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