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本研究は不揮発メモリに使用する相変化材料についてナノ秒領域での結晶化温度特性について調べた。実験では階段パルスを用いて相変化材料を溶融、結晶化することをナノ秒領域で計測した。計算では、相変化材料内の温度をナノ秒領域で予測した。実験の結晶化率と計算の温度分布からナノ秒領域における結晶化温度特性を得た。試料はGe2Sb2Te5とGeTeを用いた。前者では、100%結晶化率には約300nsが必要で、結晶化温度は、100nsで約320℃であった。一方、後者では100%結晶化率に40ns、結晶化温度は、40nsで約180℃であった。GeTeの原子が動き易いことが分かり、本研究手法を確立することができた。
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