| 研究課題/領域番号 |
24360004
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 埼玉大学 |
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研究代表者 |
矢口 裕之 埼玉大学, 理工学研究科, 教授 (50239737)
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| 研究分担者 |
尾鍋 研太郎 東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 教授 (50204227)
片山 竜二 東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (40343115)
窪谷 茂幸 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (70583615)
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| 連携研究者 |
土方 泰斗 埼玉大学, 大学院理工学研究科, 准教授 (70322021)
八木 修平 埼玉大学, 大学院理工学研究科, 助教 (30421415)
秋山 英文 東京大学, 物性研究所, 准教授 (40251491)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| キーワード | 半導体 / 光物性 / エピタキシャル成長 / 量子光学 / 単一光子 / 量子もつれ光子対 |
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| 研究成果の概要 |
原子層ドーピングを利用して、窒素原子およびエルビウム原子局所ドーピング構造半導体を作製し、量子情報通信において重要な役割を担う完全ランダム偏光かつ優れた波長再現性を有する単一光子および量子もつれ光子対の高効率生成を目指した。窒素原子局所ドーピング構造半導体を用いて、量子もつれ光子対生成に応用できるランダム偏光の励起子分子および励起子発光の観測に成功した。エピタキシャル成長中のエルビウム原子の表面偏析の温度依存性を定量的に調べることによって、原子層ドーピング構造半導体を作製するための条件として低温成長が必須であることを明らかにした。
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| 自由記述の分野 |
応用物理学 結晶工学 応用物性
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