| 研究課題/領域番号 |
24360006
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 東京農工大学 |
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研究代表者 |
熊谷 義直 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (20313306)
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| 研究分担者 |
村上 尚 東京農工大学, 大学院工学研究院, 准教授 (90401455)
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| 研究協力者 |
SITAR Zlatko North Carolina State University, Department of Materials Science and Engineering, Professor
永島 徹 株式会社トクヤマ, 筑波研究所, 主任
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| キーワード | 窒化アルミニウム / 転位密度 / 深紫外光透過性 / HVPE法 / 不純物 / 深紫外線LED / MOVPE法 |
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| 研究成果の概要 |
物理気相輸送(PVT)法で作製した低転位密度(<1000 /cm2)の窒化アルミニウム(AlN)単結晶基板上へのハイドライド気相成長(HVPE)法によるホモエピタキシャル厚膜成長を検討した。HVPE成長層から作製した自立AlN基板は、PVT-AlN基板と同等の高い結晶品質、また光吸収端206.5 nmの深紫外光透過性を有していた。深紫外光透過性の発現は、炭素不純物濃度が極めて低いことにより得られることが分かった。実際に、HVPE-AlN基板上に有機金属気相成長(MOVPE)法により260 nm帯の深紫外線LED構造を成長し、電流注入発光をAlN基板側より取り出すことに成功した。
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| 自由記述の分野 |
結晶成長
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