| 研究課題/領域番号 |
24360008
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 三重大学 |
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研究代表者 |
平松 和政 三重大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (50165205)
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| 研究分担者 |
三宅 秀人 三重大学, 大学院工学研究科, 准教授 (70209881)
元垣内 敦司 三重大学, 大学院工学研究科, 准教授 (00303751)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| キーワード | 窒化物半導体 / ナノボイドエピタキシー / 窒化アルミニウム / 量子井戸構造 / 紫外線発光素子 / 光取り出し効率 / 配光制御 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、ナノボイドエピタキシーを用いた窒化物半導体の高品質化結晶の作製と深紫外発光デバイスの発光制御を目的として研究を行った。減圧MOVPE法を用いたAlNの結晶成長とAlGaN量子井戸構造の作製を行い、高品質なAlN結晶やAlGaN量子井戸構造を得ることができ、ピーク波長が約250nmの電子線励起発光素子を実現することができた。
また、基板となるサファイア基板を加工することで光取り出し効率を45％も改善することができ、バイナリ型回折凹レンズによりLEDの配光制御を実現することができた。以上の結果より高効率の深紫外発光素子を実現するために必要な技術に関する知見を得ることができた。
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| 自由記述の分野 |
半導体工学、結晶成長、オプトエレクトロニクス
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