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本研究では、電磁場加熱法によるSiCバルク単結晶の昇華法対象として,SiCバルク単結晶の結晶多形の安定性について2次元核生成の観点から不純物添加依存性について検討を行った。本研究で新たに開発したグローバル伝熱解析計算コードは、結晶表面と原料表面における窒素やアルミニウムの不純物添加による表面エネルギーの変化を原子レベルで解析し、これをマクロな総合伝熱解析に用いることにより、結晶多形の結晶成長依存性について世界で初めて解析することに成功した。さらに、今までこんなんとされてきた転位密度分布の3次元解析に関しても、時間依存の解析を行うことにより、定量的な予測が可能となった。
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