|
次世代紫外LDや紫外LED、低抵抗透明導電膜作製を目指して触媒表面での水素、酸素の燃焼反応により生成した高エネルギーH2Oビームを用いたZnO結晶膜作製技術の構築を行った。
その結果、サファイア基板上で世界最高レベルの大きな電子移動度のZnO結晶膜の作製に成功した。窒素酸化物ガスによりドーピングを行った結果、電子濃度の減少、中性アクセプタ束縛励起子による発光を観測し、窒素ドーピングが確認された。H2Oビームについて反応空間での断熱膨張過程での冷却状態を観測したところ、開口角が大きいノズルからの噴出されたH2Oビーム程、低温になりノズル構造によってビームエネルギー分布に違いが生じることが分かった。
|
