| 研究課題/領域番号 |
24360017
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
酒井 朗 大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (20314031)
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| 連携研究者 |
中村 芳明 大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 教授 (60345105)
吉川 純 物質材料研究機構, 先端的共通技術部門表界面構造物性ユニット, 主任研究員 (20435754)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| キーワード | 転位 / 抵抗スイッチング / 金属酸化物結晶 / 電気伝導 / ヒステリシス / 空間電荷制限電流 / 酸素空孔 / 欠陥準位 |
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| 研究成果の概要 |
貼り合わせ原子接合法を用いてSrTiO3結晶中の転位構造を制御し、同結晶からなる2端子素子の電気伝導特性を調べた。NbドープSrTiO3と還元処理ノンドープSrTiO3の両結晶において抵抗スイッチング現象が発現したが、両者でその機構が異なり、前者は空間電荷制限電流を伴う界面捕獲準位型、後者は結晶内の酸素空孔ドリフト型であることが、電気伝導特性解析により確認された。特に、後者では、マイクロメートル級の微細素子を開発することによって、貼り合わせ原子接合で導入された転位ネットワークが電気伝導媒体として機能することが明らかになった。
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| 自由記述の分野 |
材料物性工学
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