| 研究課題/領域番号 |
24360018
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 奈良先端科学技術大学院大学 |
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研究代表者 |
武田 さくら 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教 (30314537)
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| 研究分担者 |
高橋 敏男 東京大学, 物性研究所, 教授 (20107395)
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| 連携研究者 |
白澤 徹朗 東京大学, 物性研究所, 助教 (80451889)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| キーワード | 歪みシリコン / ARPES / XRD / LEED I-V / ラマン / １軸歪み / ２軸歪み / 歪み効果 |
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| 研究成果の概要 |
歪み印加によりキャリア移動度が向上した半導体がMOSFETに利用されている。移動度向上の原因は歪みによるバンド分散変化のためとされているが、実験的に未検証である。本研究では歪み量とバンド有効質量の相関を解明する為、歪み量と価電子バンド分散構造をそれぞれ精密に測定した。2軸引張り歪みSiの表面極近傍の歪み量を低速電子回折とＸ線回折で精密に測定し、歪み結晶の歪みが最表面まで緩和していないことを明らかにした。機械的に印可した1軸引張り歪みを測定するために超高真空ラマン分光装置を新たに開発し、歪みが局所的に入る様子を明らかにした。角度分解光電子分光で歪みＳｉのバンド分散が変形することを明らかにした。
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| 自由記述の分野 |
物性物理
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