ドレスト光子フォノンによる間接遷移型半導体の電流注入発光とその波長制御

2015 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 24360023
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 一部基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 応用光学・量子光工学
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 大津 元一 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (70114858)
• 研究期間 (年度): 2012-04-01 – 2016-03-31
• キーワード: ガリウム燐 / 発光ダイオード_ / 亜鉛 / バンドギャップ / ドレスト光子 / フォノン / ホモ接合

研究成果の概要

n型不純物としてSを含むGaP単結晶基板にp型不純物のZnをイオン注入し作製したGaP pnホモ接合バルク結晶に対してドレスト光子フォノン援用アニール法を適用した結果、バンドギャップより高エネルギー領域における電流注入発光に成功した。
このアニール時の注入電子数と照射光子数が1:1.3になる時に最も良い結果を得た。この結果よりドレスト光子フォノン援用アニールの基礎が誘導放出であることを確認した。

自由記述の分野

ドレスト光子工学