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2013 年度 実績報告書

酸化エルビウム結晶におけるポピュレーション操作と量子メモリへの応用

研究課題

研究課題/領域番号 24360033
研究機関日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所

研究代表者

俵 毅彦  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主任研究員 (40393798)

研究分担者 尾身 博雄  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主任研究員 (50257218)
後藤 秀樹  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主幹研究員 (10393795)
寒川 哲臣  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主席研究員 (70211993)
倉持 栄一  日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主任研究員 (10393802)
足立 智  北海道大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (10221722)
研究期間 (年度) 2012-04-01 – 2015-03-31
キーワードSTIRAP / 酸化エルビウム / エネルギー移動
研究概要

本年度は①Erイオン間相互作用の制御、②Stark準位均一幅評価、③ナノ構造作製に向けたEr2O3加工条件の検討を行なった。
①Erイオン間相互作用の制御:Er2O3結晶中ではErイオン間距離が数オングストロームと近接しているためエネルギー移動が高い確率で生じ、ポピュレーションが散逸してしまうということが昨年明らかとなっていた。そこで今年度はErイオン間距離を制御するため、スカンジウム(Sc)で混晶化することを検討した。その結果MBE法でEr濃度100-1%の間の(ErSc)2O3単結晶薄膜を得ることに成功し、またEr間相互作用の抑制によりエネルギー移動効率を1/100に低減することが可能となった。さらにStark準位の不均一幅の減少(1/3以下)および発光の長寿命化(10倍以上)も観測された。
②Stark準位均一幅評価:STIRAP実現にはStark準位の均一幅が重要なパラメータの一つである。そのため今年度はスペクトルホールバーニングによる均一幅評価を試みた。しかしながらこれまでのところ明瞭なホール形成は確認できておらず、その原因として薄膜での測定であるため相互作用長が短く、かつ測定系の波長分解能が不足しているためと考えている。そのため現在試料構造および測定系について改善を進めている。
③ナノ構造作製に向けたEr2O3加工条件の検討:Er2O3をフォトニック結晶共振器中に埋め込み、単一光子レベルでのSTIRAPを実現することを本課題の最終目標としている。しかしEr2O3単結晶薄膜の微細加工例は非常に少ないため、その条件を詳細に調べる必要がある。今年度はドライエッチングによるEr2O3の加工条件を最適化し、数ミクロン~数十ナノの微細構造の作製に成功した。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

3: やや遅れている

理由

均一幅の測定に苦戦しており、予定のSTIRAP実証は達成できなかった。しかしErイオン間相互作用の制御や微細加工条件の最適化などは予想以上に進捗しており、若干の遅れは見られるものの次年度に向け着実に進展していると考える。

今後の研究の推進方策

・高分解能測定系およびEr2O3導波路構造を用いた均一幅の評価
・STIRAPの実証
・Er2O3埋め込み型フォトニック結晶共振器の作製と特性評価

  • 研究成果

    (16件)

すべて 2014 2013

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件) 学会発表 (11件) (うち招待講演 1件) 産業財産権 (2件)

  • [雑誌論文] Mixture formation of ErxYb2-xSi2O7 and ErxYb2-xO3 on Si for broadening the C-band in an optical amplifier2013

    • 著者名/発表者名
      H. Omi, Y. Abe, M. Anagnosti, T. Tawara
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 4 ページ: 042107-1~6

    • DOI

      10.1063/1.4800714

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Population dynamics in epitaxial Er2O3 thin films grown on Si(111)2013

    • 著者名/発表者名
      T. Tawara, H. Omi, T. Hozumi, R. Kaji, S. Adachi, H. Gotoh, T. Sogawa
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 102 ページ: 241918-1~4

    • DOI

      10.1063/1.4812294

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Light emission from thulium silicates and oxides for optical amplifiers on silicon in the extended optical communications band2013

    • 著者名/発表者名
      H. Omi, A. Hagiwara, T. Tawara
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 3 ページ: 072122-1~5

    • DOI

      10.1063/1.4816717

    • 査読あり
  • [学会発表] Si(111)上にMBE成長した(Sc1-xErx)2O3膜のEXAFS解析2014

    • 著者名/発表者名
      尾身博雄,俵毅彦,鍛治怜奈,穂積貴人,足立智,後藤秀樹,寒川哲臣
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学相模原キャンパス
    • 年月日
      20140317-20140320
  • [学会発表] MBE growth and optical properties of rear earth oxides on Si(111)2014

    • 著者名/発表者名
      H. Omi, T. Tawara, T. Hozumi, R. Kaji, S. Adachi, H. Gotoh, T. Sogawa
    • 学会等名
      Symposium on Surface and Nano Science 2014
    • 発表場所
      Furano, Japan
    • 年月日
      20140115-20140118
    • 招待講演
  • [学会発表] Molecular beam epitaxy of (ErxSc1-x)2O3 on Si(111) for active integrated optical devices2014

    • 著者名/発表者名
      H. Omi, T. Tawara, T. Hozumi, R. Kaji, S. Adachi, H. Gotoh, T. Sogawa
    • 学会等名
      2nd International Conference on Photonics, Optics and Laser Technology
    • 発表場所
      Lisbon, Portugal
    • 年月日
      20140107-20140109
  • [学会発表] 酸化エルビウム薄膜のサイト間エネルギー移動特性2013

    • 著者名/発表者名
      佐野将大, 川上欣洋, 穂積貴人, 鍜治怜奈, 足立 智, 俵毅彦
    • 学会等名
      第49回応用物理学会北海道支部/第10回日本光学会北海道地区合同学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      20131209-20131210
  • [学会発表] Magneto-optical properties of Er2O3 epilayers on Si(111)2013

    • 著者名/発表者名
      T. Hozumi, R. Kaji, S. Adachi, T. Tawara, H. Omi
    • 学会等名
      2013 JSPS-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      20130916-20130920
  • [学会発表] MBE growth and optical properties of rear earth oxides on Si(111)2013

    • 著者名/発表者名
      H. Omi, T. Tawara, T. Hozumi, R. Kaji, S. Adachi, H. Gotoh, T. Sogawa
    • 学会等名
      2013 JSPS-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Kyoto, Japan
    • 年月日
      20130916-20130920
  • [学会発表] Si基板上(Er1-xScx)2O3のMBE成長2013

    • 著者名/発表者名
      尾身博雄,俵毅彦,穂積貴人,鍛治怜奈,足立智,後藤秀樹,寒川哲臣
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス
    • 年月日
      20130916-20130920
  • [学会発表] 酸化エルビウムエピタキシャル薄膜のスカンジウム混晶化による光学特性の改善2013

    • 著者名/発表者名
      俵毅彦,尾身博雄,穂積貴人,鍜治怜奈,足立智,後藤秀樹,寒川哲臣
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス
    • 年月日
      20130916-20130920
  • [学会発表] ダブル誘導ラマン断熱通過による酸化エルビウム薄膜での量子ビット任意回転操作2013

    • 著者名/発表者名
      川上欣洋,穂積貴人,鍜治怜奈,足立智,俵毅彦,尾身博雄
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学京田辺キャンパス
    • 年月日
      20130916-20130920
  • [学会発表] Energy transfer in epitaxial Er2O3 thin films grown on Si(111) substrates2013

    • 著者名/発表者名
      T. Tawara, T. Hozumi, H. Omi, R. Kaji, S. Adachi, H. Gotoh, T. Sogawa
    • 学会等名
      IEEE Photonics Conference 2013
    • 発表場所
      Bellevue-Seattle, USA
    • 年月日
      20130908-20130912
  • [学会発表] Arbitrary qubit rotation by double STIRAP in Er2O3 thin film2013

    • 著者名/発表者名
      Y, Kawakami, Y. Hozumi, R. Kaji, S. Adachi, T. Tawara, H. Omi
    • 学会等名
      Y, Kawakami, Y. Hozumi, R. Kaji, S. Adachi, T. Tawara, H. Omi
    • 発表場所
      Matsue, Japan
    • 年月日
      20130622-20130626
  • [産業財産権] 量子ビットの操作方法2013

    • 発明者名
      足立智
    • 権利者名
      日本電信電話㈱
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      特願2013-147283
    • 出願年月日
      2013-07-16
  • [産業財産権] 光素子およびその製造方法2013

    • 発明者名
      尾身博雄
    • 権利者名
      日本電信電話㈱
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      特願2013-162076
    • 出願年月日
      2013-08-05

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公開日: 2015-05-28  

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