酸化エルビウム結晶におけるポピュレーション操作と量子メモリへの応用

2014 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 24360033
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 一部基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 応用光学・量子光工学
• 研究機関: 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所
• 研究代表者: 俵 毅彦 日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主任研究員 (40393798)
• 研究分担者: 尾身 博雄 NTT物性科学基礎研究所, 機能物質科学研究部, 主任研究員 (50257218) ; 後藤 秀樹 NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 部長 (10393795) ; 寒川 晢臣 NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 所長 (70211993) ; 倉持 栄一 NTT物性科学基礎研究所, 量子光物性研究部, 主任研究員 (10393802) ; 足立 智 北海道大学, 工学研究院, 教授 (10221722)
• 研究期間 (年度): 2012-04-01 – 2015-03-31
• キーワード: 酸化エルビウム / STIRAP / エネルギー移動 / 量子メモリ

研究成果の概要

酸化エルビウム単結晶薄膜を用いた量子光メモリの実現を目指し、結晶内エルビウムイオン中の電子ダイナミクスを明らかにした。特にエルビウムイオン間距離の依存性を元に、エルビウムイオン間相互作用による電子の移動（エネルギー移動）について明らかにした。またこのエネルギー移動はフォトニック結晶構造により制御可能であることを実証した。これらは、通信波長帯で動作する高効率な量子光メモリを実現するために非常に重要な結果である。

自由記述の分野

光物性