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本研究では、単電子トランジスタ（SET）の簡便な作製手法として、ナノギャップ構造でのエレクトロマイグレーションを応用した電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法（アクティベーション法）を提案している。これは、ギャップ間隔が数十nmのナノギャップに対する通電により、ギャップ電極先端近傍の原子が活性化されることで原子の移動が誘起され、SETの作製を行う手法である。研究成果として、アクティベーション法を適用するナノギャップ間隔や通電電流量を適切に設定することで、室温動作可能なSETの作製、SETの特性制御、およびSETの集積化を達成した。
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