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2013 年度 実績報告書

光利得を増強した積層量子ドットによる高機能偏波無依存光アンプの実現

研究課題

研究課題/領域番号 24360121
研究機関神戸大学

研究代表者

喜多 隆  神戸大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (10221186)

研究分担者 原田 幸弘  神戸大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (10554355)
研究期間 (年度) 2012-04-01 – 2015-03-31
キーワード量子ドット / 光アンプ / 光利得 / 偏波無依存 / 光通信
研究概要

半導体光アンプ(SOA)は小型であるだけでなく、100 Gb/s以上で動作する高速光パルスの3R光再生中継デバイスや超高速スイッチングデバイスとして期待されている。量子ドットを利用すれば、積層成長によるドット高さの制御が可能であり、TM利得増強によって偏波無依存光アンプが実現できる。また、ドットサイズの不均一により、クロストークの無い広帯域動作も可能である。本研究では、InAs量子ドットにSiをドーピングして無輻射再結合損失を大幅に抑制した独自の高光利得量子ドットを利用し、積層量子ドットを作製する。これによって、1dB以下の偏波無依存動作を実現するとともに、量子ドットの高利得化によって広帯域動作を可能にし、超高速光スイッチおよび波長変換機能を有する高機能な光アンプの実現を目的にしている。平成25年度は以下の研究を実施した。
(1)積層量子ドットのひずみ分布解析:積層量子ドットによる偏波無依存特性は価電子バンドのミキシングがカギを握っている。本研究では分子線エピタキシーによってGaAs(001)基板にInAs積層量子ドット構造を作製した。GaAs中間層厚とIn供給量の精密な制御によって積層量子ドット構造を作製し、(001)面内偏光特性の解析より、ひずみによる影響を明らかにし、Inフラックス制御によって積層方向を制御した量子ドットにおいてひずみ分布の及ぼす影響を顕在化させることに成功した。
(2)Siドープ量子ドットの高利得特性の精密制御:Siドープした量子ドットの発光減衰特性によって、無輻射再結合が抑制されることを明らかにし、過剰キャリアによるブロッキング効果も実証することに成功した。
(3)積層量子ドットのSOA試作:平成24年度に立ち上げたHakki-Paoli法を利用して、利得スペクトルの偏波特性を詳細に調べた。導波路方向が異なるSOAにおいて偏波利得差がなくなる条件が異なることを見出した。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

1: 当初の計画以上に進展している

理由

平成24年度に立ち上げたHakki-Paoli法による利得スペクトル解析が順調に進んでおり、当初は期待していなかったような導波路による違いも明らかにすることができ、積層量子ドットを利用した偏波無依存SOA実現に向けて大きく進展した。

今後の研究の推進方策

研究計画に変更はなく、予定通り、高利得化による広帯域動作特性を明らかにするとともに、SOAデバイス構造の最適化により実用デバイスで重要となるチップ利得に現れるデバイス構造の影響を明らかにする予定である。

次年度の研究費の使用計画

量子ドット結晶成長に必要になる平成26年度購入予定のトランスファーロッドの購入の一部に充てるために繰り越した。
平成26年度予算と合わせてトランスファーロッドを購入する予定である。

  • 研究成果

    (31件)

すべて 2014 2013 その他

すべて 雑誌論文 (9件) (うち査読あり 9件) 学会発表 (20件) (うち招待講演 5件) 備考 (1件) 産業財産権 (1件) (うち外国 1件)

  • [雑誌論文] Epitaxial Two-Dimensional Nitrogen Atomic Sheet in GaAs2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada, M. Yamamoto, T. Baba, and T. Kita
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett.

      巻: 104 ページ: 041907-1~4

    • DOI

      10.1063/1.4863442

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Pulse Modulation Towards Low-Power Operation Based on the Quantum Beat of Excitons in a GaAs/AlAs MultipleQuantum Well2014

    • 著者名/発表者名
      O. Kojima, K. Hayashi, T. Kita, and K. Akahane
    • 雑誌名

      Journal of Physics D

      巻: 47 ページ: 105101-1~5

    • DOI

      10.1088/0022-3727/47/10/105101

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effect of Internal Electric Field on InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells2014

    • 著者名/発表者名
      N. Kasamatsu, T. Kada, A. Hssegawa, Y. Harada, and T. Kita
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 115 ページ: 083510-1~5

    • DOI

      10.1063/1.4867042

    • 査読あり
  • [雑誌論文] One-Dimensional Miniband Formation in Closely Stacked InAs/GaAs Quantum Dots2013

    • 著者名/発表者名
      A. Takahashi, T. Ueda, Y. Bessho, Y. Harada, and T. Kita
    • 雑誌名

      Phys. Rev. B.

      巻: 87 ページ: 35323-1~6

    • DOI

      10.1103/PhysRevB.87.235323

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Intraband Carrier Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dots Stimulated by Bound-to-Continuum Excitation2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada, T. Maeda, and T. Kita
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 113 ページ: 223511-1~5

    • DOI

      10.1063/1.4810859

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Control of Stacking Direction and Optical Anisotropy in InAs/GaAs Quantum Dots by In Flux2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Bessho, Y. Harada, T. Kita, R. Taguchi, and H. Yasuda
    • 雑誌名

      J. Appl. Phys.

      巻: 114 ページ: 033517-1~5

    • DOI

      10.1063/1.4815936

    • 査読あり
  • [雑誌論文] 自己形成過程を原子レベルで制御した量子ドットの作製と高機能光応答の実現2013

    • 著者名/発表者名
      喜多隆
    • 雑誌名

      スマートプロセス学会誌

      巻: 2 ページ: 206~212

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Polarization Controlled Emisson from Closely Stacked InAs/GaAs Quantum Dots2013

    • 著者名/発表者名
      M. Suwa, A. Takahashi, T. Ueda, Y. Bessho, Y. Harada, and T. Kita
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (c)

      巻: 10 ページ: 1492~1495

    • DOI

      10.1002/pssc.201300268

    • 査読あり
  • [雑誌論文] 半導体量子ドット配列構造による新規光機能の実現2013

    • 著者名/発表者名
      喜多隆
    • 雑誌名

      NanotechJapan Bulletin

      巻: 6 ページ: 1~9

    • 査読あり
  • [学会発表] InAs/AIxGa₁₋xAs量子ドットにおけるキャリアの熱活性特性2014

    • 著者名/発表者名
      朝日重雄、 寺西陽之、 笠松直史、 加田智之、 海津智之、海津利行、 喜多隆
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 年月日
      20140317-20140320
  • [学会発表] InAs/GaAs量子ドット太陽電池の量子準位を介した2段階光吸収2014

    • 著者名/発表者名
      加田智之、 朝日重雄、 海津利行、 喜多隆、 玉置亮、 宮野健次郎、岡田至崇
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 年月日
      20140317-20140320
  • [学会発表] 近接積層InAs/GaAs量子ドットのサブスレッショルド偏光利得特性2014

    • 著者名/発表者名
      安達貴哉、 諏訪雅也、 松村拓哉、 大橋知幸、 喜多隆
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学
    • 年月日
      20140317-20140320
  • [学会発表] 量子ドットを利用した光ハーベスト2014

    • 著者名/発表者名
      喜多隆
    • 学会等名
      電気情報通信学会 次世代ナノ技術に関する時限研究専門委員会 第4回研究会
    • 発表場所
      ㈱島津製作所関西支社
    • 年月日
      20140124-20140124
    • 招待講演
  • [学会発表] InAs/GaAs量子ドットにおけるbound-to-continuum型サブバンド間遷移の吸収係数2013

    • 著者名/発表者名
      原田幸弘、 前田剛志、喜多隆
    • 学会等名
      第24回光物性研究会
    • 発表場所
      大阪市立大学
    • 年月日
      20131213-20131214
  • [学会発表] Intraband Carrier Dynamics in Self-Assembled Quantum Dots for Infrared Optical Devices2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada, T. Maeda, T. Kita
    • 学会等名
      EMN Fall Meeting
    • 発表場所
      Orland, Florida, USA
    • 年月日
      20131207-20131210
    • 招待講演
  • [学会発表] 半導体量子ドット配列構造による新規光機能の実現2013

    • 著者名/発表者名
      喜多隆
    • 学会等名
      文部科学省ナノテクノロジープラットホーム 平成25年度 成果報告会
    • 発表場所
      東工大蔵前会館
    • 年月日
      20131017-20131017
    • 招待講演
  • [学会発表] 近接積層 InAs/GaAs量子ドット半導体光増幅器の偏光利得スペクトル特性2013

    • 著者名/発表者名
      安達貴哉、 諏訪雅也、松村拓哉、 喜多隆
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • 年月日
      20130916-20130920
  • [学会発表] 近接積層 InAs/GaAs量子ドットの偏波無依存発光特性2013

    • 著者名/発表者名
      諏訪雅也、 安達貴哉、 松村拓哉、 喜多隆
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学
    • 年月日
      20130916-20130920
  • [学会発表] Effects of Built-in Electric Field on External Quantum Efficiency of InAs/GaAs Quantum Dot Interdimediate Band Solar Cell2013

    • 著者名/発表者名
      T. Kada, A. Hasegawa, and T. Kita
    • 学会等名
      2013 JSAP-MRS Joint Symposia
    • 発表場所
      Doshisya University
    • 年月日
      20130916-20130920
  • [学会発表] Carrier Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dots for Intermediate-Band Solar Cells2013

    • 著者名/発表者名
      T. Kita
    • 学会等名
      High-efficiency materials for photovoltaic
    • 発表場所
      Imperial College London
    • 年月日
      20130718-20130718
    • 招待講演
  • [学会発表] Effects of Built-in Electric Field on Carrier Escape from the Intermediate Band in InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cell2013

    • 著者名/発表者名
      T. Kada, A. Hasegawa and T. Kita
    • 学会等名
      第32 回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • 年月日
      20130710-20130712
  • [学会発表] Carrier Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dot Superlattice Solar Cells2013

    • 著者名/発表者名
      N. Kasamatsu, A. Hasegawa and T. Kita
    • 学会等名
      第32 回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • 年月日
      20130710-20130712
  • [学会発表] Spectral Gain Feature of InAs/GaAs Quantum Dot2013

    • 著者名/発表者名
      T. Andachi, M. Suwa, T. Matsumura, and T. Kita
    • 学会等名
      第32回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖
    • 年月日
      20130710-20130712
  • [学会発表] Optical Characteristics of Quantum Dot Ensembles Grown by Using the Strain Compensation Technique2013

    • 著者名/発表者名
      O. Kojima, T. Kita, and K. Akahane
    • 学会等名
      Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2013
    • 発表場所
      Jeju island
    • 年月日
      20130624-20130628
    • 招待講演
  • [学会発表] Anisotropic Intraband Relaxation in a Multistacked Quantum Dot Ensemble2013

    • 著者名/発表者名
      O. Kojima, H. Tanaka, and T. Kita
    • 学会等名
      The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Kobe Convention Center
    • 年月日
      20130519-20130523
  • [学会発表] Effect of State Filling on Intraband Carrier Dynamics in InAs/GaAs Quantum Dots2013

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada, T. Maeda, and T. Kita
    • 学会等名
      The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Kobe Convention Center
    • 年月日
      20130519-20130523
  • [学会発表] Energy Relaxation of Photoexcited Electrons in Direct Si-Doped InAs/GaAs Quantrum Dots2013

    • 著者名/発表者名
      R. Hasegawa, Y. Harada, and T. Kita
    • 学会等名
      The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Kobe Convention Center
    • 年月日
      20130519-20130523
  • [学会発表] Polarization Controlled Emisson from Closely Stacked InAs/GaAs Quantum Dots2013

    • 著者名/発表者名
      M. Suwa, A. Takahashi, T. Ueda, Y. Bessho, Y. Harada, and T. Kita
    • 学会等名
      The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Kobe Convention Center
    • 年月日
      20130519-20130523
  • [学会発表] Radiative Recombination Properties in InAs/GaAs Quantum Dot Solar Cells2013

    • 著者名/発表者名
      N. Kasamatsu, A. Hasegawa, and T. Kita
    • 学会等名
      The 40th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 発表場所
      Kobe Convention Center
    • 年月日
      20130519-20130523
  • [備考] 神戸大学工学研究科フォトニック材料学研究室

    • URL

      http://www.research.kobe-u.ac.jp/eng-photonics/

  • [産業財産権] 半導体装置及び半導体装置の製造方法2013

    • 発明者名
      喜多隆、原田幸弘、別所侑亮、保田英洋
    • 権利者名
      喜多隆、原田幸弘、別所侑亮、保田英洋
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      PCT/JP2013/005332
    • 出願年月日
      2013-09-09
    • 外国

URL: 

公開日: 2015-05-28  

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