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ダイヤモンド表面の超高濃度のキャリアの生成機構を明らかにした。①水素終端ダイヤ表面の正孔生成はNO2吸着によることを突き止め、半導体として極めて高濃度の正孔キャリアが得た。②Al2O3薄膜をALD法で堆積することによる熱的安定化を見出し、ダイヤFETの安定動作が可能にした。③シンクロトロン電子分光法で酸素に由来する界面準位を見出し、バンド構造を決定した。④ダイヤFETのCV測定を行い界面電荷、界面準位の密度を導出した。第一原理計算からNO2のSOMO準位による機構を提案した。上記の技術を用いたダイヤモンドFETを作製し世界最高水準のDC,RF特性を示した。
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