研究課題/領域番号 |
24360125
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研究種目 |
基盤研究(B)
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配分区分 | 一部基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
電子・電気材料工学
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研究機関 | 明治大学 |
研究代表者 |
小椋 厚志 明治大学, 理工学部, 教授 (00386418)
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研究分担者 |
廣沢 一郎 公益財団法人高輝度光科学研究センター, その他部局等, 研究員 (00360834)
小瀬村 大亮 明治大学, 公私立大学の部局等, 研究員 (00608284)
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連携研究者 |
沼澤 陽一郎 明治大学, 研究・知財戦略機構, 研究推進員(客員研究員) (50569837)
澤本 直美 明治大学, 研究・知財戦略機構, 研究推進員(客員研究員) (20595087)
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研究協力者 |
臼田 宏治 (株)東芝
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研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2017-03-31
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キーワード | SiGe / 応力・歪 / 液浸ラマン分光法 / フォノン変形ポテンシャル(PDPs) / 有限要素法(FEM) / 第一原理計算(ab initio) |
研究成果の概要 |
ラマン分光法による超薄膜GeおよびSiGeの多軸歪解析を行うためには、(001)後方散乱配置において通常励起される縦光学フォノンの他に、この配置では励起困難な横光学フォノンの取得が不可欠である。我々はこれに対し、高開口数の対物レンズを用いた液浸ラマン分光法を採用することでz偏光成分を効率的に励起し、複数のフォノンの励起に成功した。また、SiGeに関して、歪解析に必要なフォノン変形ポテンシャルを全Ge濃度にわたって初めて明らかにし、次世代チャネル材料候補であるSiGeの複雑な歪場測定を実現した。
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自由記述の分野 |
電子・電気材料工学
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