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近未来の立体デバイス構造および最近注目を集めている接合の無いFETデバイス(J-FET)のもとで、電子間クーロン相互作用のデバイス特性への影響をモンテカルロ・シミュレーションにより行った。J-FETでは高い電子濃度が不可避であるため、クーロン相互作用がデバイス特性により顕著な影響を及ぼすことを見出した。チャネル電子によるドレイン領域での急速なエネルギー緩和現象に伴って、デバイス特性(ドレイン電流)が30%程度も劣化することを見出した。また、チャネル電子濃度が高いことにより、チャネル電子を動的に遮蔽する効果(動的なプラズモン励起)がナノスケールチャネルで顕在化することも見出した。
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