| 研究成果の概要 |
抵抗変化メモリを用いた新規情報処理回路の開拓を行なった。主に、i) 用いたバイポーラ型抵抗変化メモリ素子がメモリスタの数理モデルと質的に等価であること, ii) バイポーラ型抵抗変化メモリ素子とキャパシタからなるCR回路にスパイク電圧を与えた場合、スパイク前後でメモリ素子のコンダクタンスが変化しないこと, iii) 上記ii)のキャパシタの充放電過程において、キャパシタの電荷をリークさせることにより、スパイク前後でメモリ素子のコンダクタンスが増加すること, および、iv) 上記ii)とiii)により、タイミングに応じてコンダクタンスが変化するシナプスデバイスが構成可能であることを明らかにした。
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