| 研究課題/領域番号 |
24360264
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属物性
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
中谷 亮一 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (60314374)
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| 研究分担者 |
白土 優 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (70379121)
野村 光 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (20566258)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| キーワード | スピントロニクス / 磁性薄膜 / 強磁性 / 反強磁性 / 界面 / 電界効果 |
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| 研究成果の概要 |
低消費電力スピントロニクスデバイスへの応用を目指して，強磁性金属／反強磁性酸化物積層膜の界面磁気異方の発現メカニズムと電界による界面磁気異方性制御について検討した．主な結果として，（1）反強磁性体としてCr2O3を用いた交換磁気異方性は，強磁性層組成，Cr2O3の結晶性によって変化すること，（2）約1原子層のPt界面層の挿入による新規な温度依存性を発現すること，（3）強磁性層／Cr2O3界面に存在する界面非補償反強磁性スピンのピン止め効果を示した．さらに，Cr2O3の電気磁気効果を基本原理として，電界による交換磁気異方性の極性反転が可能であることを示した．
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| 自由記述の分野 |
磁性材料
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