| 研究課題/領域番号 |
24360266
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
金属物性
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| 研究機関 | 独立行政法人日本原子力研究開発機構 |
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研究代表者 |
境 誠司 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門 先端基礎研究センター, グループリーダー (10354929)
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| 研究分担者 |
圓谷 志郎 独立行政法人日本原子力研究開発機構, 原子力科学研究部門・先端基礎研究センター, 副主任研究員 (40549664)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| キーワード | フラーレン / ナノ炭素 / スピントロニクス / グラフェン / 分子スピントロニクス / 界面 / X線吸収 / X線磁気円二色性 |
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| 研究成果の概要 |
グラフェンやフラーレンなどナノ炭素材料は次世代スピントロニクスの候補材料として有望である。本研究では、強磁性金属電極に代わるスピン注入源として、フラーレン-遷移金属化合物と強磁性金属からなる複合構造に着目し、同構造の物性探索と電極応用に向けた基礎研究を行った。
フラーレンと鉄ナノ粒子からなる複合系薄膜の磁気伝導特性を調査し、フラーレン/鉄界面は伝導電子のスピン偏極率を増大するスピンフィルターとして働くことを明らかにした。さらに、C60単分子層/鉄薄膜の深さ分解X線磁気円二色性分光の実験と理論計算を実施し、界面においてC60の電子状態が著しく変化しスピン分裂が生じることを示した。
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| 自由記述の分野 |
スピントロニクス
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