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本研究は、鉛を含有せずに鉛系圧電体に匹敵する特性を有する非鉛圧電体の作製を目指した。
端成分であるBi(Mg1/2Ti1/2)O3薄膜は、圧電性および強誘電性を有することを確認した。また、BiFeO3を含有しないBi(Zn1/2Ti1/2)O3 - Bi(Mg1/2Ti1/2)O3薄膜でも組成相境界が存在することを確認した。さらに、Bi(Mg1/2Ti1/2)O3-Bi(Zn1/2Ti1/2)O3―BiFeO3では従来研究してきたエピタキシャル膜のみでなく、一軸配向膜でも比較的大きな圧電性が得られることが明らかになった。
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