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プラスチック基材表面にセラミック薄膜を作製するために代表者の独自技術に関し、以下の成果を得た。まず、600～1000℃という高い温度でセラミック膜を焼成しても、プラスチック基板への転写が可能な場合があることを見出した。次に、セラミック膜のプラスチック基板への転写を可能とするための剥離補助層の厚さには上限と下限があることがわかった。また、極性基をもたないプラスチックス基材とセラミック膜の密着性は低いが、基材表面をUV／オゾン処理しておくと密着性が向上することがわかった。高い温度で焼成したセラミック薄膜には、プラスチック基板の湾曲過程で亀裂が発生しやすいことがわかった。
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