酸化物／金属ヘテロ界面のナノイオニクス現象の解明と制御

2015 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 24360278
• 研究種目: 基盤研究(B)
• 配分区分: 一部基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 無機材料・物性
• 研究機関: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 研究代表者: 鶴岡 徹 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主幹研究員 (20271992)
• 研究期間 (年度): 2012-04-01 – 2016-03-31
• キーワード: 酸化物 / カチオン伝導 / 酸化還元反応 / ナノイオニクス / 量子化コンダクタンス / シナプス動作

研究成果の概要

ナノイオニクス現象と呼ばれる，酸化物薄膜中の金属イオン伝導と金属／酸化物界面の固体電気化学反応を利用した原子スイッチ型抵抗変化メモリの動作機構の解明と機能化の研究を行った。原子間力顕微鏡と透過型電子顕微鏡によるメモリ内に形成される伝導性フィラメントの実空間計測，電気化学的な測定による金属／酸化物界面の酸化還元反応の詳細と酸化物の吸湿効果の解明，量子化コンダクタンスとシナプス動作の実証を行った。

自由記述の分野

ナノイオニクスを利用した抵抗変化メモリと次世代デバイスの開発