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電子デバイス高効率化は革新的な半導体探索のみならず、半導体に電力を供給する配線と電極/半導体界面のエネルギー損失低減によっても達成される。液晶やタッチパネルでもCuを候補材料として検討したいが、Cuとガラス基板や誘電体との低密着性など克服すべき課題が多い。本研究では、低抵抗・高密着なCu合金膜をガラス基板上に、従来より低温で作製できるか検討し、合金元素としてMgを適用すると100℃の低温化に成功した。また、最新の駆動用IGZO-TFTに対して、ITO/Cu(M)/IGZOなる構造を作製し、各界面の接触抵抗値を低減できる最適な合金元素を決定し、接触抵抗値が低減できる機構を解明した。
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