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減数分裂において形成されるシナプトネマ複合体を構成するタンパク質であるSYCE1は、体細胞においてはきわめて低いレベルで発現されているが、一部のがんにおいては高いレベルで発現し、細胞の放射線に対する抵抗性の原因となっている。その機序としては、SYCE1が発現することによって、RAD51のDNA二本鎖切断部位への集積が亢進し、それがATM阻害剤によって低下することと、ATMの自己リン酸化が増加することが観察されていることから、相同組換えを直接的に制御するDNA損傷応答機構が過剰に活性化することが想定されている。そこで、体細胞におけるSYCE1のより直接的な作用機序を理解するために、そのDNA損傷応答に対する影響を詳細に解析した。その結果、ATMからRAD51への経路において相同組換えを促進するBRCA1のDNA二本鎖切断部位への集積が、SYCE1発現によって増加するとともに、ATMから非相同末端結合による修復を促進する53BP1の集積も同じく増加することが明らかになった。この結果から、SYCE1が発現した場合には、DNA二本鎖切断修復の主要な2つの経路である相同組換えと非相同末端結合が促進される可能性が示唆され、その機序としては、ATMより上流に存在する機構の活性化が関与していることが想定された。その一方で、同じくATMが制御するDNA損傷応答の重要な機能であるチェックポイントの活性化による細胞周期進行の制御については、影響がみられないことが確認された。これらの結果から、SYCE1は体細胞において、ATMよりも上流の機構に作用してDNA二本鎖切断修復を活性化し、放射線抵抗性の原因となることが示唆された。
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