研究課題/領域番号 |
24510142
|
研究種目 |
基盤研究(C)
|
研究機関 | 東京工業大学 |
研究代表者 |
中辻 寛 東京工業大学, 総合理工学研究科(研究院), 准教授 (80311629)
|
研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
|
キーワード | 表面電子状態 / 表面磁性 / 自己集積化 |
研究概要 |
遷移金属窒化物表面を作成可能とする真空槽や高速電子回折装置の整備を行った。MnN/Cuについては、これまでに測定したXMCD、MLD、ARPES、XPSのデータ解析を行った。またCrN/Cuについては前所属(東京大学物性研究所)と共同研究を行い、STMとXPS測定から、クロム窒化物ナノ構造パターンの成長条件を明らかにした。
|
現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
3: やや遅れている
理由
本研究では放射光共同利用実験に用いる遷移金属窒化物表面試料作製の条件を実験室装置で確立する必要があるが、年度はじめに所属機関が変わったので、試料作製用真空槽を一から整備する必要があったため、達成度としてはやや遅れている状況である。
|
今後の研究の推進方策 |
次年度はじめに試料作製用真空槽の整備が完了する予定なので、これを用いて試料作製を行い、放射光共同利用実験等による窒化物のXMLD・ARPES測定、MnN上のAg量子ドットの作製とその評価を行う。
|
次年度の研究費の使用計画 |
昨年度3月の所属機関異動にともない、研究遂行のために試料作製用真空槽が必要となり、その設計に時間を要したために残額が発生した。前項に述べたとおり、試料作製用真空槽や高純度試料の購入に、未使用額も含め充当する。
|