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次世代の原子スケールでの半導体デバイスを実現するために、金属酸化物、High-k 絶縁膜の室温原子層堆積法の開発を行った。膜種として、酸化ハフニウム、酸化チタン、酸化アルミニウムの室温堆積に成功した。これを開発する上で、多重内部反射赤外吸収分光を用いた表面反応評価を実施し、堆積に使用する有機金属プリカーサー（TEMAH、TDMAT、TMA）は酸化物表面にハイドキシル基を与えることで、室温でも化学吸着をすることを明らかにした。またその表面を酸化せしめるために、加湿アルゴンプラズマあるいは加湿酸素プラズマが有効であることを見出した。上記実験から反応機構についてモデルを提示するに至った。
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