研究課題
基盤研究(C)
（１）我々の理論研究によって、中赤外線強レーザー場における原子電離過程を明らかにした。特にレーザー中低エネルギー電子半周期の電離と多周期の干渉過程の起用を解明した。（２）（１）の研究成果により、強レーザーによる原子・分子の光吸収過程の制御メカニズムを明らかにした。（３）実空間、実時間の密度汎関数計算法で物質の導電性を研究した。強レーザーを絶縁体に照射すると、絶縁体は瞬間的に導体になるメカニズムを明らかにした。強レーザーで物質性能を改造する方法を探索した。
原子・分子と光
