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次世代省エネルギーデバイス開発に重要なイオン注入と同時にアニール処理が可能な新しいパルスイオン注入法の実現に向けて必要なn型・p型ドーパントの機能を有する高強度パルス重イオンビーム発生技術の開発を行った。n型ドーパントのパルス窒素イオンビームに対しては高出力化、ビームの空間均一性の向上を図った。p型ドーパントとして機能する金属イオン源に対しては真空アークイオン源および細線放電イオン源の電極形状や放電条件による特性評価を行うと共にレーザーイオン源の開発も行った。また、ビームの照射効果においてはアニール効果を検証し、必要な付与エネルギー密度を評価できた。
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