|
これまでドナー・アクセプター系ポリシランの合成には、電子受容体としてフラーレンの導入を検討してきた。しかし、フラーレンをポリシランに共有結合を通して導入することは、フラーレンの立体障害や反応性の低さの原因から収率の高いものではなかった。今年度はフラーレンと同様に電子受容体として有望なペリレンの導入を検討した。導入に際しては反応収率の高いクリック反応を利用した。そのため、p-エチニルフェニル基を導入したペリレンを新規合成し、アジド基を有するポリシランと反応させることにより対応するペリレンを側鎖に有するポリシランを合成した。得られたポリシランの同定は各種各磁気共鳴および赤外吸収スペクトルにおいて行った。また、ペリレンおよびポリシランの紫外可視吸収スペクトルの測定を行った。
また、これまで得られたフラーレンを側鎖に有するポリシランやフラーレンを末端に有するポリシランデンドリマーの電気化学的評価を行うため、光起電力を測定する為のデバイス作成を行った。ITO基板上にスピンコートによりPEDOT:PSSの薄膜を調製し、さらにその上にフラロポリシランをスピンコートにより薄膜を形成させた。フラーレン含有率の高いフラロポリシランおよび低分子量のフラロポリシランでは、膜形成がフラーレンにより阻害され、良好な膜を作成することができなかった。一方、フラロポリシランデンドリマーは結晶性が高いため、スピンコートによる製膜には適さないことがわかった。
|
