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発光性遷移金属錯体は、配位子により発光性・分子サイズ・溶解度などを調整できる点、また、りん光を示す化合物が多い点から、光増感材ユニットのみならず、発光ダイオードの材料としても期待がもたれている。本研究では、これまで未開拓であったベンゼンチオール系配位子を持つ発光性の銅錯体の合成を系統的に行い、ハロゲノ配位子同様導入するピリジン系配位子により発光性制御が可能であることを示した。また、ハロゲノ銅錯体に関して、混合型配位子高分子を合成し、配位子の組合せによってはエネエルギー集約挙動がみられることを明らかにした。
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