研究課題
基盤研究(C)
高速動作有機トランジスタ回路の実現に向けた基盤技術開発の結果,次のような成果を得た。電極表面処理技術と作製プロセスの最適化により短チャネル化が容易なボトムコンタクト型有機トランジスタで移動度 3.3cm2/Vsを達成した。また,酸素プラズマ処理により回路応用に重要となる数Vの範囲での閾値電圧の制御に成功した。さらに,低コンタクト抵抗を実現する表面処理電極について仕事関数と熱安定性について重要な知見を得た。仕事関数については,4.3~5.5 eVの範囲で制御可能であることを示した。
半導体デバイス