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2014 年度 実績報告書

スマートウインドウ用ポーラス水酸化物薄膜の開発

研究課題

研究課題/領域番号 24550228
研究機関北見工業大学

研究代表者

阿部 良夫  北見工業大学, 工学部, 教授 (20261399)

研究分担者 川村 みどり  北見工業大学, 工学部, 教授 (70261401)
金 敬鎬  北見工業大学, 工学部, 助教 (70608471)
研究期間 (年度) 2012-04-01 – 2015-03-31
キーワードスマートウィンドウ / 酸化物薄膜 / スパッタ成膜技術
研究実績の概要

スマートウィンドウ用の電気化学的特性の優れた酸化物薄膜を作製することを目的として、以下の研究を行った。
1.液体窒素により-180℃まで冷却できる基板冷却機構を用い、オキシ水酸化ニッケル(NiOOH)、および酸化ニッケル(NiO)薄膜の作製を試みた。水蒸気を反応ガスに用いた場合、液体窒素温度では、基板、および基板冷却機構の表面に水蒸気が吸着し、スパッタガス圧力が0.01 Pa程度まで低下してしまうことがわかった。この圧力では安定な放電を維持できないため、水蒸気を反応ガスに用いてNiOOH薄膜を作製することは困難であることがわかった。これに対し、酸素を反応ガスに用いた場合は、基板を液体窒素温度まで冷却してもスパッタガス圧力には変化が無く、安定した放電、およびスパッタ成膜が可能であることを確認した。
2. 室温と液体窒素温度で作製しNiO薄膜の特性を比較した結果、液体窒素温度で作製したNiO薄膜の方が光学密度変化と移動電荷密度が大きく、エレクトロクロミック特性が優れることを確認した。液体窒素温度では、スパッタ粒子の基板表面での拡散が抑制されるため、ポーラスで低密度な薄膜が形成されると予想される。このため、イオンの膜中への拡散が容易になり、電気化学的活性が向上したものと考えられる。
3.水蒸気雰囲気中で基板温度を-30℃から+130℃の範囲で変えて、 鉄酸化物薄膜を作製した。室温以上の温度で作製した試料はα-Fe2O3、基板を冷却した作製した試料は、膜中にOH基を含むアモルファス鉄酸化物薄膜であることを確認した。全ての試料がエレクトロクロミック特性を示したが、基板温度の低下とともに、光学密度変化と移動電荷密度がわずかに増加する傾向が認められた。しかし、透過率変化幅はNiOやNiOOH薄膜に比べて小さいことがわかった。

  • 研究成果

    (4件)

すべて 2014

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件、 オープンアクセス 1件、 謝辞記載あり 1件) 学会発表 (2件) 産業財産権 (1件)

  • [雑誌論文] Formation of hydrated yttrium oxide and titanium oxide thin films by reactive sputtering in H2O atmosphere and their electrical properties2014

    • 著者名/発表者名
      Yoshio Abe, Ning Li, Kosuke Nishimoto, Midori Kawamura, Kyung Ho Kim, Tsutomu Suzuki
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53 ページ: 068002-1~3

    • DOI

      10.7567/JJAP.53.068002

    • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
  • [学会発表] Electrochromic properties of IrOx films prepared by reactive sputtering in O2 and H2O atmosphere2014

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Ito, Yoshio Abe, Midori Kawamura, Kyung Ho Kim
    • 学会等名
      7th Vacuum and Surface Science Conference of Asia and Australia (VASSCAA-7)
    • 発表場所
      国立精華大学、台湾
    • 年月日
      2014-10-05 – 2014-10-09
  • [学会発表] H2Oガスを用いた反応性スパッタ法によるIrOxHy薄膜の作製とその評価2014

    • 著者名/発表者名
      伊藤敏、阿部良夫、川村みどり、金敬鎬
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
  • [産業財産権] 薄膜製造装置2014

    • 発明者名
      阿部良夫、川村みどり、金敬鎬
    • 権利者名
      阿部良夫、川村みどり、金敬鎬
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      特願2014-213146
    • 出願年月日
      2014-10-01

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公開日: 2016-06-01  

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