| 研究課題/領域番号 |
24560010
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 三重大学 |
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研究代表者 |
三宅 秀人 三重大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (70209881)
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| 研究分担者 |
平松 和政 三重大学, 大学院工学研究科, 教授 (50165205)
直井 弘之 和歌山工業高等専門学校, 電気情報工学科, 准教授 (10373101)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| キーワード | 窒化物半導体 / GaN / AlN / 電子線励起 / 紫外光源 / 組成変調 / MOVPE |
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| 研究成果の概要 |
AlXGa1-XNは混晶比xを変えることで、波長210～365nmまでの広い紫外発光波長域をカバーできることから、新たな深紫外光源として研究が盛んに行われている。しかし、深紫外LEDに用いられている高Al組成のAlGaNにおいてはp型AlGaNが高抵抗化するため発光出力が極めて低いという課題を有する。UV-C領域(波長280nm以下)における光源開発を行うため，AlGaNをターゲットとして用いた電子線励起による深紫外光源の作製を試みてきた。本研究では、AlNとAlGaN多重量子井戸構造との間の緩衝層の緩衝層の検討、AlGaN量子井戸構造の作製条件に関する検討を行った。
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| 自由記述の分野 |
結晶工学
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