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本研究の目的は、半導体結晶中での励起子と光子の結合状態である励起子-ポラリトン状態に着目し、下枝ポラリトンの光子性の強い部分(Photon-like Polariton)を経由した発光バンド（励起子ｰ励起子散乱発光）の発光減衰時間の意味を考えるものである。 励起子-励起子散乱発光が観測されるZnO薄膜において、その時間分解発光スペクトルの解析から、励起子-励起子散乱発光の発光減衰時間は、励起子-励起子散乱が生じた後に残されるPhoton-like Polaritonの光子性の強さが影響を及ぼし，それは，試料膜厚に大きく依存するという新たな知見を得ることが出来た。
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