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当プロジェクトは半導体光デバイスの不安定発光についてでした。とくにInGaN（Indium Gallium Nitrides）の材料は最近人気になって、不安定発光の原因は無知な不要な現象であった。当プロジェクトで頂いた研究予算を用いて高感度光検出や高速度光検出などの設備を購入して、理論及び実験を含めて詳しいな研究を行いました。
今年度は先端な理論計算を行いました。InGaNの結晶構造のシミュレーションをしました。ab-initio方法（Gaussian及びSIESTAソフト）を用いて光の不安定振る舞いと結晶の不純物量の関係が明らかにしました。さらに、理論計算だけではなく、今年度は実験も行いました。温度制御真空チャンバーを使った光学顕微鏡による実験を行った。チャンバーの中にさまざまな不純物ガスを導入して、光の不安定現象は不純物にどういうふうに影響をされることが直截に観測しました。その結果は理論計算と比べ、InGaNの発光不安定現象の原因について明らかにしました。
得に酸素の影響は世界中初めてに分かりました。研究報告は国際雑誌に投稿されて、発光の不安定現象の原因は理解できました。さらに実験結果のデータ基づいたオリジナルなフィジカルモデル（物理的モデル）を立ち上がりました。当モデルでによるとInGaNの表面に成長過程の時に不純物ガスの分子が蒸着をされてしまいます。InGaNの活層（active layer）はその不要な物性に影響され、発光が変化します。時間をたつと、その不純物は表面から脱着され、不安定発光の振る舞いは発生します。
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