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2014 年度 研究成果報告書

光電子ホログラフィーによる強磁性半導体の局所構造解析

研究課題

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研究課題/領域番号 24560016
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関広島市立大学

研究代表者

八方 直久  広島市立大学, 情報科学研究科, 准教授 (30285431)

研究期間 (年度) 2012-04-01 – 2015-03-31
キーワード希薄磁性半導体 / スピントロニクス材料 / 原子分解能ホログラフィー / 放射光利用測定技術
研究成果の概要

強磁性半導体Ge1-xMnxTeのTe元素周辺の結晶構造を調べるために、SPring-8のBL25SUに設置されている二次元表示型球面鏡分析器を使用して、Te 4d光電子放出パターン(光電子ホログラム)を測定した。その結果、Mn濃度の違いに対して、菱面体構造(x=0)から岩塩型構造(x=0.4)に変わる様子を観測できた。また、実験で得られたホログラムより再生した原子像より、Teの位置に揺らぎが観測された。この結果は、蛍光X線ホログラフィーの実験結果を支持するものである。

自由記述の分野

理工系・工学

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公開日: 2016-06-03  

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