| 研究課題/領域番号 |
24560020
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性・結晶工学
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| 研究機関 | 甲南大学 |
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研究代表者 |
梅津 郁朗 甲南大学, 理工学部, 教授 (30203582)
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| 研究分担者 |
吉田 岳人 阿南工業高等専門学校, 創造技術工学科, 教授 (20370033)
稲田 貢 関西大学, システム理工学部, 准教授 (00330407)
香野 淳 福岡大学, 理学部, 教授 (30284160)
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| 研究期間 (年度) |
2012-04-01 – 2015-03-31
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| キーワード | レーザープロセッシング / 中間バンド / 過飽和ドーピング / 半導体 / 太陽電池 / 深い準位 |
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| 研究成果の概要 |
シリコンに深い順位を持つ不純物の過飽和ドープすることができれば中間バンドを形成し太陽電池効率を向上させる可能性がある。本研究ではパルスレーザーを用いて結晶性を保ちながら不純物の偏析を抑制する試料作製法の指針を提示した。不純物として硫黄を用い電気的・光学的測定を行った結果、これまでに議論されていたように金属的振る舞いと中赤外光吸収の原因が共に中間バンドによるものであると考えると矛盾が生じることを明らかにした。そこで実験結果をもとに、それらの原因の新たな可能性を指摘した。
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| 自由記述の分野 |
半導体レーザープロセッシング
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