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窒化ガリウムに格子整合する窒化インジウムアルミニウム (InAlN)の表面、絶縁体/半導体界面、および金属/半導体界面におけるフェルミ準位ピンニングについて調べた。InAlN表面におけるピンニングは適切な絶縁体堆積を行うことで除去されること、および界面形成後の界面準位密度は、界面の形成方法や形成後の熱処理方法に依存して変化することがわかった。特に、酸化アルミニウムとInAlNとの界面の特性と形成方法について調べ、界面準位を低減する独自の方法を見出した。金属/InAlN界面においては、ショットキー障壁の強い金属仕事関数依存性が観測された。
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