|
新規なヘテロp-n接合薄膜を得るために、Mn系酸化物p型半導体のLa(Ba)MnO3などをn型半導体ZnO上に積層した。ステップ・テラスを持つ平坦な結晶性の良い積層膜が成長できた。配向性は格子マッチングと極性クーロンエネルギーの計算で説明できた。接合は整流特性とユニークな温度依存性を示した。電流誘起によって20万の巨大な整流比が得られた。スイッチングやヒステリシス特性も表した。強磁性金属(FM)粒子相によるパーコレーションパスに基づくメカニズムを提案した。大きな光電流増幅効果を得、原因は相的な応答と考える。
|
