研究課題
基盤研究(C)
機能性材料の創成に重要な薄膜成長において、歪みの影響、特に、”ヘテロエピタキシャル成長における原子の混合(Intermixing)に与える歪みの影響”について焦点を絞り明らかにすることを目的とした。その結果、(1)Ge(111)面上のSi層のヘテロエピタキシー構造では、焼鈍温度が450℃の条件で、厚さ2層が原子混合の起こらない限界の膜厚であることを示した。(2)Ge/Si(111)系の固相エピタキシー成長を例に、成長後の表面形状からIntermixingの有無を判定する条件を提案した。
表面科学